НИОКТР
№ АААА-А19-119122690113-0Разработка технологии производства ИК-фотоприёмных матричных модулей на базе гетероструктурных полупроводников
25.12.2019
Объект исследования: ИК-фотоприёмные матричные модули на базе гетероструктурных полупроводников.Цель проекта: разработка технологии изготовления ИК-фотоприёмных матричных модулей на базе гетероструктурных полупроводников. В результате выполнения работы:- будет разработана конструкция ИК-фотоприёмных матричных модулей;- будут проведены исследования и оптимизация технологических операций изготовления ИК-фотоприёмных матричных модулей;- будет разработан технологический маршрут изготовления ИК-фотоприёмных матричных модулей на базе гетероструктурных полупроводников;- будет разработан комплект конструкторской документации на топологию кристалла ИК фотоприёмной матрицы;- будет разработан комплект технологической документации на производство матрицы ИК фотоприёмника 512х625 пикселей;- будет разработан комплект технологической документации на сборку ИК-фотоприёмного модуля 512x625 пикселей.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ТРАНЗИСТОР
ИК-ФОТОПРИЁМНЫЙ МАТРИЧНЫЙ МОДУЛЬ
ТОПОЛОГИЯ
Детали
Начало
01.07.2019
Окончание
30.06.2021
№ контракта
Договор № 9/1251/2019
Заказчик
ФОНД ПОДДЕРЖКИ ПРОЕКТОВ НАЦИОНАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ИНИЦИАТИВЫ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 25 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка методики получения, изготовление, проведение испытаний и исследования экспериментальных образцов фоточувствительных материалов и фотоприемников на основе диодных гетероструктур из твердых растворов InAsSb(P) для спектральной области 8-12 мкм.
0.923
ИКРБС
Разработка высокотемпературных, матричных, многоспектральных фотонных фотоприемников и излучателей для средневолновой ИК области спектра (3-5 мкм)
0.915
ИКРБС
Разработка научно-технологических основ создания фотоприёмных ИК-матриц на коллоидных квантовых точках
0.913
НИОКТР
Экспериментальные исследования фоточувствительных материалов и многоэлементных фотоприемников, чувствительных в спектральной области 2,5 - 5,5 мкм с характерными размерами одиночного элемента не более 200 мкм
0.913
ИКРБС
Разработка технологий и методов создания приемников инфракрасного излучения и других датчиков на основе многослойных микромеханических структур с применением принципов оптического и полевого детектирования перемещений
0.908
ИКРБС
Экспериментальные исследования фоточувствительных материалов, одно- и многоэлементных фотоприемников, чувствительных в спектральной области 2.5-3.5 мкм с характерными размерами одиночного элемента не более 200 мкм
0.907
ИКРБС
ИНФРАКРАСНЫЙ ДЕТЕКТИРУЮЩИЙ МОДУЛЬ
0.907
РИД
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных приборов нового поколения (микросистема для прямого оптического тепловидения)
0.906
ИКРБС
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ, ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТО-ПРИЕМНИКОВ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В СПЕКТРАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ 2.5-4.5 МКМ С ХАРАКТЕРНЫМИ РАЗМЕРАМИ ОДИНОЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НЕ БОЛЕЕ 200 МКМ
0.903
ИКРБС
Разработка фоточувствительных элементов большой размерности для спектральных областей 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из InAs и твердых растворов InAsSbP
0.902
НИОКТР