Исследование технологий формирования невжигаемых омических контактов с расстоянием до 1 мкм на гетероструктурах нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 76 мм

Объект исследования: невжигаемые омические контакты к AlGaN/GaN наногетероструктурам. В ходе выполнения НИР получены следующие научные результаты: - Выполнен аналитический обзор литературы по технологическим и конструктивным подходам к решению задач, связанных с моделированием гетероструктур для СВЧ применений на основе AlN/AlGaN/Si. Проведено моделирование конструкции гетероструктуры нитрида галлия на подложке кремния диаметром 76 мм для транзисторов с высокой крутизной и удельным током насыщения от 1,3 до 1,6 А/мм. Выбраны оптимальные параметры. - Изготовлены тестовые и экспериментальные образцы гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния диаметром 76 мм для изготовления тестовых и экспериментальных СВЧ транзисторов и тестовых элементов технологического монитора с расстоянием между омическими контактами порядка одного микрона и уровнем контактного сопротивления менее 0,3 Ом·мм. - Разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии формирования омических контактов методом заращивания с удельным сопротивлением до 40 Ом на квадрат. - Разработана конструкция тестовых СВЧ транзисторов и тестовых элементов технологического монитора для контроля параметров гетероструктур на основе AlN/AlGaN/Si. - Изготовлены тестовые и экспериментальные СВЧ транзисторы и тестовые элементы технологического монитора, показавшие улучшение коэффициента усиления СВЧ-транзисторов. - Разработаны программа и методика измерений параметров тестовых СВЧ транзисторов и тестовых элементов технологического монитора. Проведены измерения параметров. - Отработан технологический процесс послойного напыления металлов (олово, золото) с последующей фотолитографией и термокомпрессионной посадкой кристаллов на теплоотводящее основание. Работа проводилась в НИУ МИЭТ на экспериментальной технологической линии замкнутого цикла.