Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов

Диссертационная работа посвящена совершенствованию технологии изготовления омических контактов к наногетероструктурам на основе арсенида галлия и индий галлия арсенида. Разработан режим и определены оптимальные диапазоны параметров термической обработки омических контактов, позволяющие изготавливать омические контакты с низким сопротивлением, ровным краем и гладкой морфологией поверхности. Предложен трехэтапный механизм формирования омического контакта, позволивший уменьшить толщину границы раздела металл-полупроводник до нескольких десятков нанометров. Предложен и исследован сплавной омический контакт с низким сопротивлением к сильнолегированным теллуром слоям арсенида галлия. Измерение величины контактного сопротивления осуществлялось с помощью метода длинной линии. Разработанные методы осаждения металлических слоев и проведения термической обработки используются при изготовлении СВЧ-транзисторов.