ИКРБС
№ 225062617025-0Отчет о научно-исследовательской работе "Электронно-микроскопические исследования структуры и сегнетоэлектрических свойств тонких плёнок твердых растворов цирконата-титаната свинца в области морфотропной фазовой границы, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для устройств микроэлектромеханики (заключительный)"
26.12.2024
4
2. Реферат
Отчет – 1 книга, 47 стр., рисунков – 23, таблиц – 0, источников литературы –
33, приложение 1.
Ключевые слова: сегнетоэлектричество, тонкие пленки цирконата-титаната
свинца, растровая электронная микроскопия, сферолитовая микроструктура,
морфотропная фазовая граница, силовая микроскопия пьезоотклика,
самополяризация, электронное Кикучи каналирование.
Актуальность исследования: тонкопленочные сегнетоэлектрические
структуры являются перспективными материалами для современной микро и
нано электромеханики. В связи с этим исследование структур подобного рода
являются актуальными.
Целью настоящего исследования является изучение электрофизических
свойств сферолитовых структур сформированных на основе цирконата-
титаната свинца.
Объектами исследования являются тонкопленочные сегнетоэлектрические
сферолитовые структуры на основе цирконата-титаната свинца.
Предмет исследования: определение механизмов формирования
сферолитовых структур на основе цирконата-титаната свинца и особенностей
их микроструктуры и физических свойств.
Задачи исследования:
- совершенствование технологии формирования тонких поликристаллических
слоев твердых растворов цирконата-титаната свинца (ЦТС), отличающихся
сферолитовой микроструктурой, состав которых соответствуют области
морфотропной фазовой границы, методом высокочастотного магнетронного
осаждения на практически важных подложечных материалах, при вариации
технологических параметров их формирования,
- изучение особенностей сферолитовой микроструктуры и кристаллической
структуры тонких пленок ЦТС с использованием методов растровой
электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии,
рентгеноструктурного анализа, 5
- изучение полярных характеристик (спонтанной и остаточной поляризации,
внутреннего поля) методами диэлектрической диагностики и силовой
микроскопии пьезоэлектрического отклика, Кельвин-зонд микроскопии в
сформированных пленках,
- выявление связи технологических параметров, кристаллической структуры,
микроструктуры и полярных свойств исследуемых сферолитовых пленок,
оценка механических напряжений в пленках,
- анализ полученных экспериментальных результатов и выработка
рекомендаций по оптимизации униполярных свойств сферолитовых пленок
ЦТС для устройств микроэлектромеханики.
Методы исследования: растровая электронная микроскопия, атомно-силовая
микроскопия, рентгеноструктурный анализ, методика анализа второй
оптической гармоники, оптическая микроскопия, силовая микроскопия
пьезоотклика, Кельвин-зонд микроскопия, диэлектрическая спектроскопия.
Результаты исследования:
В работе были выращены двухфазные (островковые) и однофазные
тонкие пленки ЦТС отличающиеся лучистой сферолитовой микроструктурой,
состав которых соответствовал области МФГ. Пленки отличались различной
концентрацией центров зародышеобразования (или линейными размерами
сферолитовых блоков, отличающимися в 3-4 раза). Было обнаружено, что:
- в островковых лучистых сферолитах изменение микроструктуры, сигнала
генерации второй оптической гармоники (ГВГ) и поверхностного потенциала
от центра к периферии, вызвано рекристаллизацией фазы перовскита и
образованием лучистой микроструктуры;
- в сферолитовых блоках наблюдался поворот ростовой оси, скорость поворота
которой составляла 0.5-1.5 град/мкм, в зависимости от линейного размера
сферолитов;
- выявлены два типа радиально-лучистой структуры сферолитовых островков,
отличающихся: а) аксиально неоднородным разворотом кристаллической
решетки, области которых отделены друг от друга радиальными границами 6
(некристаллическое малоугловое ветвление) и б) аксиально однородным
поворотом (кристаллическое малоугловое ветвление). Двукратное различие
скорости разворота решетки в них свидетельствует о больших деформациях
кристаллической решетки при кристаллическом ветвлении, а также частичной
релаксации механических напряжений на радиальных границах лучиков;
- в сферолитах, отличающихся аксиально однородным разворотом решетки,
обнаружен эффект электронного Кикучи каналирования. Причины его
возникновения в поликристаллических пленках связаны как с разворотом
(кривизной) решетки, так и с ориентационной корреляцией перовскитовых
зерен в плоскости пленки. Методами растровой электронной микроскопии
определены индексы Миллера узлов и плоскостей кристаллической решетки;
- изучение сферолитовых островков методом Кельвин-зонд микроскопии
показало, что в процессе рекристаллизации фазы перовскита происходит
изменение поверхностного потенциала пленок, вызванного
перераспределением объемного заряда из-за наличия аномальных проводящих
границ, разделяющих плотную и рыхлую модификации перовскитовой фазы;
- действие механических напряжений приводит к ориентации латеральной
составляющей поляризации в радиальном направлении и образованию
латерально радиальной самополяризации в сферолитовых островках;
- предполагается, что наблюдавшиеся эффекты такие как: изменение
микроструктуры блоков, сигнала ГВГ, скорости поворота ростовых осей и
другие определенные в работе характеристики, вызваны действием
механических напряжений в плоскости тонких пленок, величина которых
растет с увеличением размеров сферолитовых блоков. Появление
механических напряжений обусловлено изменением плотности фаз в процессе
кристаллизации тонких пленок ЦТС, а появление новых большеугловых
границ вызвано достижением величины растягивающих напряжений предела
упругости или выше, что приводит к образованию дислокаций и других
кристаллических нарушений, приводящих к релаксации механических
напряжений; - исследование полярных свойств сплошных сферолитовых пленок при
вариации среднего размера блоков методами силовой микроскопии
пьезоотклика и диэлектрическими методами показало, что двумерные
латеральные механические напряжения оказывают существенное влияние на
вертикальную компоненту вектора униполярности и величину внутреннего
поля;
- границы сферолитов отрицательно заряжены, а вектор латеральной
поляризации в них радиально ориентирован в направлении от центра
сферолита к его границам.
ГРНТИ
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
сегнетоэлектричество
тонкие пленки цирконата-титаната свинца
растровая электронная микроскопия
сферолитовая микроструктура
морфотропная фазовая граница
силовая микроскопия пьезоотклика
самополяризация
электронное Кикучи каналирование
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. И. ГЕРЦЕНА"
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. И. ГЕРЦЕНА"
Бюджет
Собственные средства организаций: 3 763 000 ₽
Похожие документы
Электронно-микроскопические исследования структуры и сегнетоэлектрических свойств тонких плёнок твердых растворов цирконата-титаната свинца в области морфотропной фазовой границы, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для устройств микроэлектромеханики
0.926
ИКРБС
Микроструктура и полярные свойства сферолитовых тонких пленок цирконата-титаната свинца
0.915
Диссертация
Нелинейные явления в функциональных и конструкционных гетероструктурах на основе оксидных систем
0.907
ИКРБС
ДЕФОРМАЦИОННАЯ ИНЖЕНЕРИЯ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ, ОБЛАДАЮЩИХ ВЫСОКИМ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИМ ЭФФЕКТОМ
0.905
ИКРБС
Взаимодействие параметров порядка в нанонеоднородных материалах как основа новых акустоэлектрических и магнитоэлектрических материалов
0.905
ИКРБС
Дефектная структура, электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев к(ε)-политипа оксида галлия (промежуточный, 1 этап)
0.904
ИКРБС
1.6.Исследования процессов образования кристаллических материалов, их дефектной структуры и свойств, в том числе под влиянием внешних воздействий
0.904
ИКРБС
ЭЛЕКТРОННОЕ, АТОМНОЕ СТРОЕНИЕ И СОСТАВ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАГНИТОУПОРЯДОЧЕННЫХ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ И МЕТАЛЛОВ, А ТАКЖЕ КОМПЛЕКСОВ МЕТАЛЛОВ И КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ ПО ДАННЫМ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННОЙ И РЕНТГЕНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
0.903
ИКРБС
«Экспериментально-теоретическое исследование металлических и полупроводниковых наночастиц, процессов их взаимодействия, микро- и наноструктуры кристаллов, поверхностных слоев твердых тел, влияния рельефа поверхности на отражение и пропускание света оптическими элементами» промежуточный 2020 г.
0.903
ИКРБС
Структура и свойства композиций (PZT)-LNO-SiO2-Si, пористых пленок PZT и композитов на их основе для применения в микроэлектронике
0.902
Диссертация