ИКРБС
№ 225060916458-0Исследование влияния наличия в окружающей среде аргона и глицерина на электрические характеристики токопроводящих структур, осаждённых из глубоких эвтектических растворителей. Исследование влияния шероховатости поверхности подложки на электрические характеристики токопроводящих структур, осаждённых из глубоких эвтектических растворителей. Исследование возможности уменьшения ширины треков, осаждённых из глубоких эвтектических растворителей. Разработка технологической документации на технологию эффективного экологичного производства печатных электронных компонентов. Разработка программ и методик предварительных испытаний технологии эффективного экологичного производства печатных электронных компонентов. (Промежуточный)
03.06.2025
В ходе этапа выполнены исследования влияния окружающей среды (аргон, глицерин) на удельное сопротивление токопроводящих структур, определена оптимальная атмосфера для осаждения (аргон), обеспечивающая минимальное сопротивление (4 Ом). Изучено влияние микрорельефа подложки; установлено, что повышение шероховатости способствует снижению сопротивления и повышению адгезии. Проведены эксперименты по снижению ширины трека, достигнута минимальная ширина 170±0,04 мкм. Разработан и оформлен комплект технологической документации, включающий маршрутные карты, карты процессов и ведомости. Разработаны программы и методики испытаний, регламентирующие процедуры визуального контроля, измерений геометрии, сопротивления, адгезии, изгиба, термостойкости и состава.
ГРНТИ
47.09.57 Растворители и поверхностно-активные вещества
47.13.35 Лазерные технологии в электронном производстве
47.13.17 Технология производства печатных плат. Печатный монтаж
Ключевые слова
лазерно-индуцированное осаждение
печатная электроника
печатные платы
медь
глубокие эвтектические растворители
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЭВТЕКТИКА"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 500 000 ₽
Похожие документы
Исследование возможностей криогенного атомно-слоевого травления пористых диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью (заключительный, этап 2024 г.)
0.877
ИКРБС
Разработка электрода высокопроизводительного микроконденсатора, интегрированного в кремниевую плату (этап 1)
0.877
ИКРБС
Исследование в области синтеза специальных композитов и элементов базы для микроэлектроники с использованием функциональных и полупроводниковых покрытий
0.873
ИКРБС
Разработка процессов получения покрытий из наполненных алюмосиликатов на развитой алюминиевой поверхности
0.869
Диссертация
Диэлектрические кремнийорганические покрытия, полученные методом удалённого осаждения из тлеющего разряда в потоке смеси аргон/гексаметилдисилоксан
0.869
Диссертация
Разработка физических основ формирования масок методом прямой ионной субмикронной литографии для создания элементов интегральной нанофотоники с использованием селективной эпитаксии соединений A3N. (заключительный)
0.868
ИКРБС
Этап 2. 2.1. Отработка режимов формирования электропроводящего металлсодержащего полимерного порошкового композита методом антисольвентного осаждения и наработка опытных образцов металлсодержащих порошковых композитов. 2.2. Разработка методик испытаний свойств порошковых композитов. 2.3. Исследование химического состава, строения и свойств металлсодержащих полимерных композитных материалов. 2.4. Проведение опытов по подбору ультразвукового волновода для интенсификации массообмена в методе антисольвентного осаждения. 2.5. Отработка условий экструзии металлсодержащих порошковых композитов с получением филамента.
0.868
ИКРБС
Отчет о научно-исследовательской работе по теме Исследование электрически активных точечных и протяженных дефектов в новом широкозонном полупроводнике alpha- и beta-Ga2O3, гетероструктурах и мембранах на их основе (промежуточный, 1 этап)
0.867
ИКРБС
Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N
0.867
НИОКТР
Нанокристаллические композитные пленочные структуры на основе широкозонных оксидов, различных металлов и углерода для элементов наноэлектроники и информационных систем (заключительный)
0.866
ИКРБС