Исследования по определению перспективных методов и технологических принципов формирования полупроводниковых структур генераторных и усилительных приборов, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

Расширение сфер применения источников сигналов и усилителей коротковолновой части мм-диапазона в различных радарных, коммуникационных и радиометрических системах требует создания малогабаритных высококогерентных генераторов. Создаваемые до настоящего времени источники излучения коротковолновой части мм-диапазона на основе ламп обратной волны лишь отчасти удовлетворяют этим требования, поскольку требуют использования высоковольтных источников питания и высокоэффективных магнитных систем, что делает аппаратуру на их основе громоздкой и низкоэффективной с точки зрения обеспечения КПД и выходной мощности. Настоящая НИР направлена на определение перспективных методов формирования полупроводниковых структур, разработку технологических приемов и маршрутов их изготовления, а также приборного тестирования макетных образцов ЛПД и генераторов на их основе в частотных диапазонах до 200 ГГц.В ходе выполнения НИОКР будут решены следующие задачи: проведены исследования по определению перспективных методов и технологических принципов формирования полупроводниковых легированных структур для лавинно-пролетных диодов на частоты до 200 ГГц; проведены исследования в части создания конструкции и технологии изготовления твердотельных СВЧ генераторов на ЛПД, работающих в частотном диапазоне да 200 ГГц; изготовлены макеты легированных структур, ЛПД и генераторов на их основе в частотном диапазоне до 200 ГГц (в поддиапазонах 92-110 ГГц, 100-150 ГГц, 150-200 ГГц), проведены исследования их характеристик; разработан проект ТЗ на ОКР.