НИОКТР
№ АААА-А16-116111510020-3Поисковые исследования технологии изготовления и проектирования монолитных интегральных схем для приемо-передающих систем связи диапазона частот 100-140 ГГц на широкозонных HEMT гетероструктурах (InAlGa)N/GaN
26.10.2016
- выбор широкозонных (In,Al,Ga)/GaN наногетероструктур различной конструкции, перспективных для создания монолитных интегральных схем (МИС) диапазона частот 100-120 ГГц; - разработка технологии изготовления МИС диапазона частот 100-120 ГГц; - изготовление макетных образцов МИС диапазона частот 100-120 ГГц. - Выбор широкозонных (In,Al,Ga)/GaN наногетероструктур различной конструкции, перспективных для создания МИС диапазона частот 120-140 ГГц; - разработка технологии изготовления МИС диапазона частот 120-140 ГГц; - изготовление макетных образцов МИС диапазона частот 120-140 ГГц на базе (In,Al,Ga)N/GaN HEMT наногетроструктур.
ГРНТИ
47.47.29 Радиопередающие устройства
Ключевые слова
МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИЕ СИСТЕМЫ СВЯЗИ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 100-140 ГГЦ
ШИРОКОЗОННЫЕ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (INALGA)N/GAN
Детали
Начало
20.01.2016
Окончание
31.12.2016
№ контракта
0068-2014-0003
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 10 002 000 ₽
Похожие документы
Поисковые исследования технологии изготовления и проектирования монолитных интегральных схем для приемопередающих систем связи диапазона частот 100 - 140 ГГц на широкозонных гетероструктурах (InAlGa)N/GaN
0.984
ИКРБС
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.931
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.931
ИКРБС
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения
0.930
НИОКТР
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.929
ИКРБС
Разработка МИС однокристальных приемопередающих модулей для диапазона частот 23 - 25 ГГц на основе нитрида галлия. Выбор направления исследований
0.928
ИКРБС
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения по теме: ИЗГОТОВЛЕНИЕ МАКЕТОВ, ПРОВЕДЕНИЕ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ (промежуточный, этап 2)
0.926
ИКРБС
ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ по теме: Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения «Патентная ситуация и тенденции развития в области изготовления СВЧ интегральных микросхем на основе InAlN/GaN» Этап 1 (промежуточный)
0.926
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42-46 ГГц. Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач.
0.925
ИКРБС
Исследование и разработка технологии создания малошумящего полевого транзистора для диапазона частот свыше 100 ГГц на основе InGaAs/InAlAs наногетероструктур
0.923
НИОКТР