Электронные и оптические явления в полупроводниковых наноструктурах

Проект посвящен электронным и оптическим свойствам полупроводниковых наноструктур. В рамках проекта исследования направлены на 1) установление электронных и оптических явлений в гетероструктурах с ансамблем квантовых точек; 2) установление возможностей усиления фототока в гибридных героструктурах, представляющих собой ансамбли квантовых точек Ge в матрице Si, сопряженные с двумерными металлическими фотонными кристаллами; 3) установление путей повышение квантовой эффективности люминесценции наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками и гетероструктур SiGeSn/SiGe; 4) разработку аналитических методов вычисления распределения упругой деформации в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками; 5) установление физических особенностей полупроводниковых наноэлектромеханических систем; 6) развитие низкотемпературных методов формирования нанокристаллов кремния/германия и слоев Ge/Si на неориентирующих подложках с использованием плазменных технологий и импульсных лазерных отжигов; 7) разработку электроосмотического микронасоса, работающего на переменном напряжении, и сенсора потока жидкости, измеряющего потенциал течения.