Инновационный дизайн ансамблей оптоэлектронных наногетероструктур на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов.

Цель работы: Создание инновационного дизайна нитевидных нанокристаллов (ННК) тройных соединений элементов из III-V подгрупп периодической системы элементов и оптоэлектронных гетероструктур нового типа на их основе, за счет моделирования и анализа коллективных свойств в ансамблях ННК, разработки новых принципов контроля функции распределения по длине и диаметру, поиск оптимальных условий для синтеза однородных по размеру ННК в различных эпитаксиальных технологиях. Ожидаемые результаты: 1.Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках проводимых исследований.2. Отчет о патентных исследованиях в области методов синтеза и оптоэлектронных приложений ННК тройных соединений элементов из III-V подгрупп периодической системы элементов.3. Отчет о дополнительных патентных исследованиях.4. Результаты анализа, математические модели роста ННК в системах (In,Ga)As, (Al,Ga)As, In(As,P). Методы контроля состава ННК тройного состава.5. Результаты анализа и математические модели процессов формирования гетероструктур в ННК в системах материалов (In,Ga)As/GaAs, GaAs/(Al,Ga)As, In(As,P)/InP, GaN/(Al,Ga)N.6. Методы контроля функции распределения ННК по длине в процессе эпитаксиального роста.7. Результаты теоретических и экспериментальных исследований эффектов самофокусировки функции распределения по размерам в ансамблях ННК, методы управления функцией распределения по размерам.8. Методы управления политипизмом в GaAs, InAs, InP ННК, позволяющие производить переключение между фазами WZ и ZB в процессе роста ННК за счет изменения условий эпитаксиального осаждения (температура, потоки элементов III-V подгрупп периодической системы элементов).9. Методы и модели теории нуклеации в наносистемах, учитывающие конечный размер материнской среды (капли раствора катализатора роста с материалом ННК).10. Методы роста бездефектных ННК из элементов III-V подгрупп периодической системы элементов на кремнии.11. Дизайн ННК тройных соединений элементов из III-V подгрупп периодической системы элементов для оптоэлектронных гетероструктур нового типа. Дизайн оптоэлектронных структур (лазеры, светодиоды, однофотонные излучатели, солнечные элементы, сенсоры)