Закономерности электронно-энергетического строения и особенности фазового состава композитных слоев при формировании полуизолирующего кремния SIPOS с заданными свойствами

Проект направлен на установление фундаментальных закономерностей электронно-энергетического строения и особенностей фазового состава кремниевых структур при разработке технологии формирования субмикронных слоев полуизолирующего кремния SIPOS (Semi-Insulating Polycrystalline Oxygen-doped Silicon) с заданными свойствами, обеспечивающими стабильную работу мощных высоковольтных полупроводниковых приборов, с использованием возможностей уникального метода ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Обнаружение и установление закономерностей влияния кислорода на сложный фазовый состав во взаимосвязи с электрофизическими свойствами при получении пленок SIPOS с заданными параметрами проектируемых изделий представляет научный интерес с точки зрения управления природой нанокомпозитных материалов на основе кремния. Полученная в ходе исследования информация и выработанные на их основе рекомендации будут использованы при создании новых технологических маршрутов изготовления высоковольтных интегральных схем и разработке надежных методов диагностики и контроля параметров функциональных материалов, используемых в производстве полупроводниковых приборов.