Физика границ раздела в наноструктурах на основе полупроводников типа А2В6, А3В5 и других конденсированных сред

В приборных структурах на основе тонких пленок бинарных и тройных твердых растворов А2В6 диэлектрики используются в качестве активного слоя МОП-диодов и МОП-транзисторов, а также для пассивации периферии структур с целью устранения утечек тока по поверхности, например, в p-n переходах и меза-структурах. В проекте будет исследовано влияние пассивации пленок HgCdTe сверхтонким собственным оксидом и слоем ALD Al2O3, сформированными в удаленной плазме ВЧ разряда на плотность поверхностных состояний в МОП - структурах. Будут исследованы механизмы проводимости тонких пленок разупорядоченных углеродных нанотрубок в наноструктурах кольцевого типа при воздействии излучения видимого диапазона длин волн при адсорбции химических и биохимических молекул. Гетероструктуры (ГЭС) на основе соединений А3В5 являются наиболее перспективными полупроводниковыми материалами, обеспечивающими создание нового поколения сверхвысокочастотной электронной компонентной базой (СВЧ ЭКБ). В данном проекте будут исследованы процессы, обеспечивающие создание нового поколения СВЧ фотодиодов, создания интегрально-оптических модуляторов (ИОМ) и одиночных лавинных фотодиодов (ЛФД) на основе ГЭС InGaAlAs/InP и АlGaN/GaN. Планируется (1) исследовать особенности формирования границы раздела диэлектрик/InAs,InAl(Ga)As и барьерных контактов металл/InAl(Ga)As с низкой плотностью интерфейных состояний; (2) изучить процессы формирования омических контактов для ГЭС AlGaN/GaN; (3) исследовать физико-химические и технологические подходы создания ИОМ Маха-Цендера, ЛФД и детекторов одиночных фотонов на ГЭС InGaAlAs/InP-МЛЭ, а также планарных полимерных электрооптических модуляторов на кремнии; (4) разработать процессы, обеспечивающие изготовление СВЧ- фотодиодных -транзисторных, ЛФД и ИОМ приборных структур на основе данных материалов ГЭС для следующего поколения устройств твердотельной СВЧ электроники, СВЧ фотоэлектроники и квантовой криптографии.