Физика границ раздела в наноструктурах на основе полупроводников типа А2В6, А3В5 и других конденсированных сред

Исследуются процессы пассивации поверхности эпитаксиальных пленок InAlAs, AlGaN и GaN тонкими пленками фторсодержащих анодных слоев синтезированных в таунсендовской газоразрядной плазме. Изучается кинетика окисления, химический состав гетерограниц, микрорельеф поверхности, электрофизические свойства МДП структур и барьеров Шоттки с целью оптимизации процессов формирования собственного окисла на эпитаксиальных слоях. При исследованиях используются методы рентгеновской фотоэлектронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. С использованием модифицированной диффузионно-дрейфовой модели из адмиттанса МДП-структур и вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки извлекаются энергетические спектры поверхностных состояний и величины потенциальных барьеров на границах раздела. Изучаются особенности формирования гетерограниц металл (Pt, Au)/HgCdTe, тонкий оксид/HgCdTe, Al2O3/HgCdTe и Al2O3/тонкий оксид/HgCdTe в кислородной плазме тлеющего разряда в режиме удалённой плазмы и в потоке атомарного кислорода. Изучается свойства границ раздела HgCdTe/диэлектрик и качество пассивирующих покрытий типа Al2O3. Проводится анализ фотосигнальных характеристик униполярных структур (бариодов) и сравнение с другими типами фотоприёмников на КРТ. Проводится поиск оптимальных технологических режимов изготовления барьеров Шоттки и МДП-структур на основе КРТ. Исследуется адсорбционно-десорбционные процессы на границе раздела газ-твердое тело методами инфракрасной термографии высокого разрешения с целью установления особенностей протекания нестационарных неизотермических физико-химических процессов на начальных стадиях адсорбционно-десорбционного взаимодействия молекул газа с поверхностью твердотельных нанодисперсных материалов и тонких пленок, включая полупроводниковые наноструктуры.