Разработка технологических основ гетероинтеграции нитрида галлия на нано-структурированной подложке кремния

Работа направлена на разработку новой технологии качественных эпитаксиальных слоевполуполярных нитридов алюминия и галлия на наиболее применяемой в микроэлектронике ориентированной подложке –Si(100).В рамках проекта будут решены следующие, тесно связанные между собой конкретные задачи:Во-первых, разработка оптимальной технологии фасетирования поверхности Si(100) путем их травления в растворах (NH4)2S. Предполагается использовать подложки Si(100), структурированные по технологии Wostec компании ООО ” Квантовый кремний“ (Москва, Россия).Во-вторых, разработка технологии синтеза полуполярных слоев GaN(10-11), GaN(10-12), GaN(10-13) на подложках кремния Si(100), у которых поверхность содержит плоскости Si(111), либо Si(112).В-третьих, разработка методов снижения деформации гетероструктур нитрида галлия накремнии за счет вариации фасетирования поверхности Si(100) и синтеза AlN в атмосфере водорода, а GaN- аргона, методами как газофазной эпитаксией с использованием металлоорганических соединений, так и гидрид-хлоридной эпитаксией и их комбинацией.В-четвертых, предполагается исследовать кристаллическое совершенство полуполярныхструктур GaN/AlN/Si(100) для их применения в качестве основы ‘монолитной’ интеграции нитрид-галлиевой и кремниевой электроники.