Получение тонких пленок халькогенидов переходных металлов методом химического осаждения из газовой фазы и исследование их свойств

В данном проекте объектом исследования и разработки являются двумерные тонкие пленки халькогенидов переходных металлов. Основной целью работы является разработка надежной методики для производства тонких пленок халькогенидов переходных металлов (MoS2, VS2, SnS2) с использованием химического осаждения из газовой фазы при атмосферном давлении для сборки двумерных гетероструктур и солнечных элементов. На первом этапе работы удалось разработать схемы синтеза тонких пленок и кристаллов дисульфида молибдена. Полученные образцы были исследованы методом комбинационного рассеяния света, что подтвердило 2Н политип кристаллической структуры MoS2. Помимо отработанной технологии синтеза дихалькогенида молибдена были разработаны протоколы переноса пленок на выбранную заранее подложку. На втором этапе работы была разработана схема синтеза тонких пленок и кристаллов дисульфида вольфрама. Полученные образцы были исследованы методом комбинационного рассеяния света, что подтвердило наличие 2H политипа кристаллической структуры WS2. Был проведен ряд экспериментов с трансформацией структурных фаз в дисульфиде молибдена посредством использования н-бутиллития.