Фундаментальные исследования эпитаксиальных гетероструктур для СВЧ микро и наноэлектроники

Большинство материалов AIIIBV не имеют согласованных по постоянной решетке подложек или они чрезвычайно дороги, поэтому изучение различных переходных слоев, позволяющих эпитаксиально выращивать твердые растворы AIIIBV на решеточно-рассогласованных подложках является актуальной задачей. Настоящий проект направлен накомплексное исследование физических и технологических основ эпитаксиального роста высококачественных эпитаксиальных слоев AIIIN (нитридов) на чужеродных подложках с различными переходными слоями с целью разработки эффективных технологических методов для преодоления рассогласования постоянных кристаллических решеток и разницы в коэффициентах термического расширения для повышения качества поверхности и кристаллографического совершенства наногетероструктур соединений AIIIN для создания эффективных приборов СВЧ микроэлектроники, эпитаксиальное изготовление AIIIN гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и исследование их свойств;проведение исследования получения, с помощью различных конструкций метаморфного буфера на поверхности GaAs, виртуальной подложки с величиной параметра кристаллической решетки от GaAs до InP для высочастотной СВЧ микроэлектроники, исследование структурных и транспортных свойств метаморфных транзисторных гетероструктур;проведение исследования физических аспектов эпитаксии материалов A3B5 на подложках кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии, используя различные переходные слои (например, на основе SiGe/Si или используя GaP(As)N/GaP, с содержанием азота на уровне нескольких процентов), а также исследование морфологических, структурных и оптических свойств твердых растворов A3B5 на подложках кремния.