НИОКТР
№ 121112300094-6

Разработка и испытания опытного образца светодиода на длину волны 1.54 мкм.

23.11.2021

Целью проекта является разработка светодиода на основе редкоземельных элементов в оксидах и технологии его создания, совместимой с кремниевой технологией изготовления микросхем. Перспективным этапом развития вычислительных систем будет замена медных шин передачи данных на оптические-оптоволоконные как между, так и внутри микропроцессоров. Для этого необходимо интегрировать светодиоды внутрь микросхем. Общепринят технологически сложный подход переноса хорошо отработанного материала светодиодов A3B5 на кремниевую подложку. Предлагается альтернативый технологически более простой подход, с использованием редкоземельных элементов в оксидных пленках на кремнии. Задачей НИОКР будет проверка концепции: получение электролюминесценции. В результате планируется разработать и изготовить опытный образец светодиода на подложке кремния. Областями применения разработки являются микроэлектроника и, возможно, системы связи. Потребителями - соответственно, разработчики процессорной техники и систем связи.
ГРНТИ
29.31.23 Люминесценция
29.19.31 Полупроводники
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
электролюминесценция
электрический ток
разрыв зон
гетеропереходы
редкоземельные элементы
оксиды
тонкие пленки
светодиоды
кремниевая технология
оптоэлектроника
Детали

Начало
27.10.2021
Окончание
26.11.2022
№ контракта
4235ГС1/70543
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "АКАДЕМ ИНФРАРЕД"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка и испытания опытного образца светодиода на длину волны 1.54 мкм.
0.912
ИКРБС
Разработка конструкции и технологии создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств
0.895
НИОКТР
Разработка конструкции излучающего/фоточувствительного элемента и изготовление опытных образцов иммерсионных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей электролюминесценции/фоточувствительности около 9.5 мкм.Разработка программы и методики исследования оптических и электрических характеристик светодиодов и фотоприемников с длинноволновой границей до 11.5 мкм.Исследование оптических и электрических характеристик иммерсионных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей около 9.5 мкм и проведение их деградационных испытаний.Разработка и изготовление усилителя и детектирующего модуля на основе длинноволнового фотоприемника.Исследование распределения химических элементов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.Исследование распределения дислокаций в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.Исследование распределения состава в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.Исследование свойств гетеропереходов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.
0.894
ИКРБС
Разработка фотонных компонентов для обеспечения отечественного производства оптических трансиверов на скорость 10 Гбит/с и более
0.894
ИКРБС
"Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению полупроводниковых лазерных модулей с распределенной обратной связью, унифицированных для сборки с планарными интегрально-оптическими резонансными структурами на основе кремния и нитрида кремния"
0.893
НИОКТР
Микролазеры спектрального диапазона 1.55 мкм для оптической связи на основе новых типов III-V наногетероструктур
0.892
НИОКТР
Разработка конструкции и технологии изготовления светодиодов с максимумами излучения на длине волны поглощения метана и углекислого газа с максимальной квантовой эффективностью. Разработка конструкции и технологии изготовления спектрально согласованных фотодиодов с максимальной эффективной обнаружительной способностью. Изготовление опытных образцов и проведение испытаний светодиодов и фотодиодов. Разработка конструкции оптической ячейки, обеспечивающей максимальную фокусировку излучения светодиода на фотоприемник. Разработка электронного блока для обеспечения питания светодиода, обработки сигнала фотоприемника, точного измерения температуры p-n перехода светодиода, обработки сигналов, включая расчет концентрации углекислого газа с помощью калибровочных зависимостей по температуре и концентрации. Изготовление опытных образцов и проведение испытаний сенсоров метана. Интегрирование блока связи с БПЛА и его настройка. Разработка ПО для управления БПЛА по заданной траектории.
0.891
ИКРБС
Энергоэффективные вертикально-излучающие лазеры с длиной волны 1300 нм на основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств (промежуточный, этап 1)
0.891
ИКРБС
Разработка прототипа узкополосного волоконного лазера с шириной линии излучения 5 кГц
0.891
ИКРБС
Разработка и изготовление опытных образцов матричных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей электролюминесценции/фоточувствительности около 10.5 мкм. Изготовление опытных образцов иммерсионных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей электролюминесценции/фоточувствительности около 10.5 мкм. Исследование оптических и электрических характеристик светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей около 10.5 мкм. Разработка и изготовление драйвера импульсного питания для светодиода. Исследование распределения химических элементов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 10.5 мкм. Исследование распределения дислокаций в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 10.5 мкм. Исследование распределения состава в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 10.5 мкм. Исследование свойств гетеропереходов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 10.5 мкм.
0.891
ИКРБС