Разработка базовой конструкции многомагнетроной установки для высокоскоростного плазмохимического осаждения алмазных пленок на большой площади

В последние десятилетия в мире ведется интенсивный поиск новых современных материалов для электронных и полупроводниковых приборов. Одним из самых интересных материалов для этих применений является алмаз, который обладает целым рядом уникальных свойств, которое стимулировало исследования и попытки применения алмаза в разных областях промышленности. А в последние годы кардинально вырос интерес и к применению CVD алмаза в ювелирной промышленности. Одним из основных сдерживающими факторами, затрудняющим широкое применение этого уникального материала является высокая себестоимость получаемых пластин. Себе-стоимость выращиваемой пластины монокристаллического алмаза методом CVD определя-ется двумя факторами: величиной зоны равномерного роста и скоростью роста. К настояще-му времени, достигнут серьезный прогресс, но классический подход, используемый в дос-тупных на рынке, в настоящий момент установках, себя исчерпал. Для дальнейшего умень-шения себестоимости получаемых пленок необходимы новые, нестандартные решения. На основании результатов исследований, проведённых нами на протяжении последних 15 лет, а также опираясь на мировой опыт попыток масштабирования и усовершенствования подобных установок, мы разрабатываем базовую конструкцию установки, которая позволит получить высокую скорость осаждения алмазной пленки на большой площади при относи-тельно малых энергозатратах.