Исследование свойств эпитаксиальных наноразмерных фаз SiC, образующихся на Si методом согласованного замещения атомов, и изучение влияния этих свойств на механизмы роста и морфологию полупроводниковых пленок групп A3B5 и A2B6.

Цель данного проекта - исследование и решение двух связанных между собой фундаментальных проблем. Первой является проблема теоретического и экспериментального изучения новых физических свойств эпитаксиальных наноразмерных фаз SiC на Si и бездислокационной межфазной границы раздела, образующихся в процессе химического превращения монокристаллического Si в монокристаллический SiC при согласованном замещении половины атомов кремния на углерод.