Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств

18.12.2019

Цель: исследование процессов формирования буферных слоев на подложках кремния для последующей гетероэпитаксии пленок 3C-SiC. Проведено экспериментальное и теоретическое исследование процессов карбидизации мезопористого кремния при формировании буферных слоев для последующей эпитаксии пленок 3С-SiC и родственных широкозонных полупроводниковых материалов. Изучен механизм релаксации напряжений несоответствия в гетероструктуре 3C-SiC/Si с буферным слоем мезопористого кpемния.

ГРНТИ

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

Ключевые слова

ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ; КАРБИД КРЕМНИЯ; ЭПИТАКСИЯ; БУФЕРНЫЙ СЛОЙ; КАРБИДИЗАЦИЯ

НАПРЯЖЕНИЕ НЕСООТВЕТСТВИЯ

Детали

Автор

Султанов Азрет Оюсович

Вид

Кандидатская

Целевое степень

Кандидат физико-математических наук

Дата защиты

26.11.2019

Организация защиты

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"

Организация автора

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Похожие документы

Наноструктуры, физика, химия, биология, основы технологии

0.934

НИОКТР

Исследование свойств эпитаксиальных наноразмерных фаз SiC, образующихся на Si методом согласованного замещения атомов, и изучение влияния этих свойств на механизмы роста и морфологию полупроводниковых пленок групп A3B5 и A2B6.

Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников