Физические основы получения объёмных кристаллов, подложек и эпитаксиальных структур в системе β-(AlxGa1-x)2O3 / β-(InxGa1-x)2O3 / β-Ga2O3

Проект направлен на решение актуальной научной проблемы по разработке и исследованию новых функциональных материалов и структур на основе оксида галлия (Ga2O3), перспективного широкозонного полупроводника, для приборов и устройств силовой электроники и фотоники следующего поколения. Для получения качественных объемных кристаллов, подложек, эпитаксиальных слоев и приборных структур на основе оксида галлия главной задачей является всестороннее исследование и отработка механизмов получения объёмных кристаллов, способов получения подложек из объёмных кристаллов и отработки механизмов формирования эпитаксиальных слоёв и приборных структур. Главным результатом выполнения проекта станет создание физических основ изготовления высококачественных объёмных кристаллов оксида галлия и двойных твёрдых растворов β-(AlxGa1 x)2O3, β-(InxGa1-x)2O3 с учётом механизмов формирования дефектов, внедрения и активации примесей, связи оптических, электрических, тепловых и механических свойств с механизмами роста кристаллов и эпитаксиальных слоёв.