Перспективные материалы и структуры элементной базы современной электроники и оптоэлектроники и устройства на их основе

Цель работы заключается в расширении функционального и элементного базиса работы приборов и систем современной энергоэффективной и отказоустойчивой оптоэлектроники, и электроники с улучшенными характеристики за счёт контроля структурно-зависимых свойств перспективных полупроводниковых материалов. Для достижения цели будут решены следующие задачи: 1. Разработать технологию роста объёмных кристаллов и тонких плёнок beta-(AlxGa[1-x])2O3 и beta-(InyGa[1-y])2O3. 2. Поиск оптимальных параметров синтеза наночастиц и нановискеров Cu, Ag, TiO2, ZnO, Ga2O3. 3. Исследовать влияние дефектов, примесей и интерфейсов на свойства гетероструктур и приборов. 4. Разработать прототипы фотодиодов, светодиодов, лазеров и фотокатализаторов, включая генерацию оптических гребёнок и методов фотоэлектролиза. Планируемые результаты: 1. Разработка технологии роста кристаллов и плёнок beta-(AlxGa[1-x])2O3, beta-(InyGa[1-y])2O3. 2. Предложение методов синтеза наноструктур Cu, Ag, TiO2, ZnO, Ga2O3. 3. Установка влияния дефектов на свойства гетероструктур. 4. Разработка прототипов фотодиодов, лазеров, фотокатализаторов, методов фотоэлектролиза и генерации оптических гребёнок.