Исследование и моделирование конструкции транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)

Объект исследования – уникальная конструкция (перечень конструкций) гетероструктуры на базе нитрида галлия на подложках кремния и на подложках кубического карбида кремния на кремнии, подходящая для создания GaN транзистора Цель работы – в ходе выполнения НИР должна быть создана конструкция транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si). Результатом исследований является: В первый год реализации проекта: анализ литературы по теме НИР ; физическая модель буферного слоя (Al)GaN на Si подложке и на 3С-SiC/Si подложке; физическая модель конструкции барьерных и подзатворных слоев для силовых транзисторов нормально-закрытого типа; физическая модель конструкции барьерных и подзатворных слоев для СВЧ транзисторов нормально-открытого типа; результаты формирования эпитаксиальным выращиванием подзатворного слоя p-GaN результаты эпитаксиального роста буферных слоев гетероструктуры на основе (Al)GaN на кремниевой подложке и на специальной подложке 3C-SiC/Si. Во второй год реализации проекта: физическая модель GaN транзистора с экранирующим электродом затвора; физическая модель GaN транзистора с экранирующим электродом истока; физическая модель конструкции нитридных гетероструктур для силовых транзисторов c p- каналом на кремниевых и 3С-SiC/Si подложках; макетные образцы нитридных гетероструктур с высоколегированными локальными областями под контактами стока и истока. В третий год реализации проекта: физическая модель конструкции нитридных гетероструктур для СВЧ транзисторов на кремниевых и 3С-SiC/Si подложках; результаты исследования особенностей топологии СВЧ и силовых GaN транзисторов c n- и p-каналом; результаты исследования особенностей технологических процессов формирования затворов нормально открытого и нормально закрытого GaN транзистора; лабораторная технологическая инструкция по созданию GaN транзистора на 3С-SiC/Si подложках; макетные образцы нитридной гетероструктуры AlGaN/GaN с p-GaN подзатворным слоем для создания нормально закрытых транзисторов; макетные образцы нитридной гетероструктуры с высоколегированными локальными областями под контактами стока истока; результаты исследования особенностей формирования эпитаксиальным выращиванием нитридной гетероструктуры AlGaN/GaN с p-GaN подзатворным слоем для создания нормально-закрытых транзисторов.