Разработка технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si). Изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si). Проведение испытаний экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)

Целью выполнения НИОКР является разработка базовой технологии формирования гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии диаметром 100 мм.В процессе реализации НИОКР на втором (заключительном) этапе выполнены следующие работы:- проведена разработка технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si);- изготовлены экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si;- проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si.Настоящий отчет содержит краткие результаты работ, выполненных на 2 (заключительном) этапе проекта и результаты разработки технологического процесса роста GaN на подложках 3С-SiC/Si в основной части. На основании полученных результатов и полученных ноу-хау был разработан РИД – заявка на способ, отправленная в ФИПС.Работы заключительного этапа НИОКР настоящего проекта выполнены своевременно и в полном объеме. Результаты работ полностью отвечают требованиям Технического задания и Календарного плана.