НИОКТР
№ 125022102860-5Разработка установки высокотемпературной активации примеси
20.01.2025
Целью выполнения ОКР является разработка вертикальной установки групповой загрузки для высокотемпературной обработки (отжига) полупроводниковых пластин диаметром 100 и 150 мм при температуре до 2000°С. Установка предназначена для активации легирующих примесей в пластинах карбида кремния (SiC) и высокотемпературного отжига других материалов (GaN, AlN ) при атмосферном и пониженном давлении с подачей реакционных газов Ar, N2, H2, He, опционально SiH4, C3H8, C2H4 при необходимости дополнительной обработки поверхности.
ГРНТИ
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
вертикальная печь
сверх высокотемпературный отжиг
активация примесей
формирование омического контакта
установка высокотемпературной активации примеси
Детали
Начало
26.11.2024
Окончание
31.12.2027
№ контракта
24411.4732190019.05.006
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 1 015 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка установки высокотемпературной активации примеси
1.000
НИОКТР
Составная часть опытно-конструкторской работы "Разработка установки высокотемпературной активации примеси"
0.960
НИОКТР
Этап №2 "Расчет и разработка конструкции опытной вакуумной печи и ее оснастки. Разработка технологии получения тугоплавких неоксидных материалов в вакуумной печи. Изготовление оснастки опытной вакуумной печи.Экспериментальные исследования по определению оптимальных параметров работы печи для получения ряда/линейки тугоплавких материалов. Монтаж оснастки опытной вакуумной печи. Разработка методики оценки качества получаемых неоксидных материалов и проведение качественного анализа. Корректировка технологической документации. (итоговый)"
0.890
ИКРБС
Проектирование, изготовление и испытания опытных образцов установок: получения исходного геля, сушки, пиролиза, вакуумной печи и опытного образца устройства для очистки и выделения нано-SiC; получение и исследование опытных образцов нанопорошка SiC на основе метода "золь-гель"
0.888
НИОКТР
Разработка и производство промышленно-ориентированного технологического комплекса плазмохимического осаждения (ПХО) на базе кластерной системы с технологическими модулями: - модуль PECVD осаждения нитрида кремния; - модуль PECVD осаждения оксида кремния (SiH4/N2O); - модуль PECVD осаждения оксида кремния (TEOS); - модуль субатмосферного осаждения оксида кремния из TEOS/03 и роботизированной системы транспортирования пластин с использованием FOUP контейнеров
0.880
НИОКТР
Разработка и изготовление комплекта установок ионной имплантации (высокоэнергетическая) и (среднетоковая) для полупроводникового производства
0.880
НИОКТР
Высокотемпературная вакуумная печь
0.879
РИД
Разработка технологии получения жаропрочных и химически стойких карбидокремниевых материалов с минимальным содержанием свободного кремния с применением лазерного химического газофазного осаждения. Этап 2022 года (Заключительный)
0.877
ИКРБС
Высокотемпературная вакуумная печь сопротивления
0.877
РИД
"Разработка установки на основе высокотемпературной печи для отжига и метрологической калибровки контактных датчиков температуры. Определение исходной калибровки датчиков и проведение экспериментальных исследований по стабильности показаний датчиков в диапазоне температур 2000-2500 С"
0.877
НИОКТР