Научно-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5

InGaAs лавинные фотодиоды (ЛФД) в настоящее время широко применяются для регистрации ИК-излучения (900-1700 нм) в лазерных дальномерах, лидарных системах, волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС) и системах передачи данных через открытое пространство, в частности, космического базирования. Использование ЛФД по сравнению с обычными фотодиодами обеспечивает выигрыш до 6–10 дБ в чувствительности аппаратуры благодаря наличию в ЛФД внутреннего эффекта умножения фототока, что позволяет существенно увеличить расстояние надежного детектирования сигнала как в ВОЛС, так и системах передачи данных через открытое пространство. Для изготовления высокоскоростных ЛФД необходима разработка конструкции полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры и технологии изготовления ЛФД с подавлением процесса лавинного умножения фототока носителями заряда одного из типов и/или уменьшения отношения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в области умножения фототока. Будут определены оптимальные конструкции и технологические условия для формирования высокочастотных ЛФД с InP и InAlAs слоями лавинного умножения, обеспечивающие фактор избыточного шума не более 4.0 при значении коэффициента умножения М=10, а также величину напряжения лавинного пробоя 25–60 В.