НИОКТР
№ 123011700067-0Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
15.08.2022
Применение лавинных фотодиодов для регистрации оптических сигналов обеспечивает выигрыш до 6–10 дБ в чувствительности аппаратуры благодаря использованию внутреннего умножения фототока. Увеличение чувствительности особенно важно для волоконно-оптических систем передачи сигналов большой дальности и систем передачи данных через открытое пространство. В настоящее время лавинные фотодиоды для систем передачи сигналов, решающие эту задачу и имеющие низкие уровни шумов, в России не разработаны и не производятся.
В данной работе будет проведена разработка конструкции и технологии изготовления лавинных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InAlAs/InP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
ГРНТИ
29.19.15 Фазовые равновесия и фазовые переходы
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
фотоприемники
молекулярно-лучевая эпитаксия
Радиофотоника
лавинные фотодиоды
гетероструктуры InGaAs/InAlAs
Детали
Начало
01.01.2022
Окончание
31.12.2024
№ контракта
FWGW-2022-0016
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 53 699 000 ₽
Похожие документы
Научно-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.963
НИОКТР
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.944
ИКРБС
Разработка конструкции и технологии изготовления лавинных фотодиодов А3В5/InP на длину волны 1,55 мкм и фотодетекторов на их основе для оптоволоконных линий связи
0.932
НИОКТР
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.928
ИКРБС
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.919
ИКРБС
Разработка и исследование фотопреобразователя с расширенным диапазоном спектральной чувствительности, выполненного на основе однопереходной А3В5 гетероструктуры с массивом квантовых точек.
0.915
НИОКТР
Узкополосные фотоприёмники интегрально совместимые с кремниевыми микросхемами
0.913
НИОКТР
Разработка и исследование высокоэффективных фотопреобразователей лазерного излучения, созданных на основе А3В5 метаморфных гетероструктур
0.912
НИОКТР
Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 – 1550 нм на их основе
0.910
Диссертация
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.906
ИКРБС