НИОКТР
№ 125121714571-9Разработка конструкции и технологии изготовления лавинных фотодиодов А3В5/InP на длину волны 1,55 мкм и фотодетекторов на их основе для оптоволоконных линий связи
09.12.2025
Разрабатываемая технология изготовления лавинных фотодиодов (ЛФД) на длину волны 1,55 мкм должна обеспечить следующие характеристики фотодетекторов:
- напряжение пробоя Vbr ЛФД с диаметром активной области 40 и 200 мкм - 35 и 60 В соответственно. Значение
параметра определяется в процессе выполнения Проекта и согласуется с Заказчиком.
- темновой ток при обратном напряжении 0.9 Vbr не более 8 нА,
- коэффициент лавинного умножения М=20-30
- чувствительность на длине волны 1,55 мкм не менее 8 А/Вт при М=10
- граничная частота ЛФД с диаметром активной области 40 и 200 мкм не менее 4 и 0.8 ГГц, соответственно при М=10.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
оптоволоконные линии связи
фоточувствительность
лавинный фотодиод
локальное легирование
гетероструктура
эпитаксия
соединения А3В5
Детали
Начало
06.11.2025
Окончание
30.09.2028
№ контракта
25-91-30003
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 70 000 000 ₽
Похожие документы
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.932
НИОКТР
Научно-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.930
НИОКТР
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.919
ИКРБС
Разработка технологии и технологического оборудования для изготовления активных компонентов фотонных интегральных схем на платформе InP, предназначенных для применения в анализаторах оптических сигналов, телекоммуникационных и радиофотонных системах, в части разработки конструкций фотоприёмных модулей спектрального диапазона 1300-1600 нм
0.907
НИОКТР
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.905
ИКРБС
Физико-технологические основы создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
0.905
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.897
ИКРБС
Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое
0.895
Диссертация
Разработка конструкции и технологии создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств
0.894
НИОКТР
Разработка и исследование высокоэффективных фотопреобразователей лазерного излучения, созданных на основе А3В5 метаморфных гетероструктур
0.893
НИОКТР