Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий. Сущность способа защиты структур на основе алюмосиликатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой структуры с p-n-переходом наносят слой на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксида натрия -Na2O. Процесс проводят при рабочей температуре -750±50°С. Толщина стекла составляет 1,0±0,2 мкм. Алюмосиликатные стекла обладают высокими температурами размягчения, низкими диэлектрическими потерями и в некоторых случаях являются конкурентами керамике. Изобретение обеспечивает повышение стабильности приборов и уменьшение температуры и длительности процесса.