Способ защиты кристаллов на основе стекла

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 55% окиси кремния SiO2; 13% окиси бора В2О3; 5,0 окиси лития Li2O3 и 3% окиси алюминия Al2O3. После термообработки в вакууме при температуре 230±10°С в течение 12±3 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,9±1 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO2 разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 700°С. Технический результат заключается в достижении стабильности и уменьшении температуры и длительности процесса. Разрешено к публикации в БД. Карта разработки id 15955 от 05.04.2023.