Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания.

Изобретение относится к тонкопленочной технологии получения мультиферроиков, а именно к получению наноразмерных пленок феррита висмута, которые обладают свойствами мультиферроика при комнатной температуре, и может быть использовано в производстве устройств записи, хранения и обработки информации, в том числе устройств спинтроники. Сущность способа включает получение пленки феррита висмута на поверхности r-плоскости сапфировой подложки методом молекулярного наслаивания с использованием металлоорганических соединений висмутсодержащего и железосодержащего прекурсоров с последующим отжигом в атмосфере воздуха при температуре 630-670°C в течение 1 часа при нормальном атмосферном давлении. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии молекулярного наслаивания наноразмерных эпитаксиальных слоев мультиферроика BiFeO3 и улучшении качества получаемых пленок.