СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Изобретение применяется для производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности при производстве кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является снижение трудоемкости и повышение плотности упаковки. Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе травление канавок проводят перед окислением рабочей пластины, затем проводят окисление поверхности пластины с канавками и заполнение канавок слоем поликремния, а затем рабочую пластину соединяют с пластиной-подложкой фриттой на основе кварцевого стекла, а утонение рабочей пластины проводят до появления разделительных канавок, окисла и поликремния в канавках, в частности:1. Угол наклона стенок разделительных канавок симметричный и менее чем 87 градусов относительно рабочей плоскости, то это исключает перемыкание доступа реагентов для осаждения поликремния в разделительные канавки, что также снижает трудоемкость. 2. Так как канавки имеют форму усеченных пирамид, меньшее основание которых расположено внутри рабочей пластины, то при утонении рабочей пластины площадь разделительных канавок, окисла и поликремния в канавках меньше, чем площадь большего основания пирамид, что повышает плотность упаковки. Кроме того, в предлагаемом способе угол наклона стенок разделительных канавок симметричный и лежит в пределах 83-87° относительно рабочей плоскости. Таким образом, данный способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией, защищенный патентом № 2783769, существенно превзошел известные способы, разработанные ранее, которые в свою очередь являлись более трудоемкими и с меньшей плотностью упаковки. ФИПС (сайт РОСПАТЕНТА) https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2783769&TypeFile=html (дата обращения 14.06.2023