Промышленная инновация
№ 32-014-25Кассета для облучения полупроводниковых кристаллов
22.09.2025
Результат выполнения конструкторско-технологической работы.
Полезная модель, состоит из сплошной металлической пластины - основания с ячейками в форме параллелепипеда для кристаллов и металлической крышки, которая закрывает основание, причем крышка выполнена из двух элементов, а именно тонкой крышки из алюминия толщиной 0,2-0,4 мм, покрывающей всю рабочую поверхность основания, и жесткой крышки толщиной 1-1,5 мм, не перекрывающей ячейки с кристаллами.
При облучении электронами кристаллов в предлагаемой кассете электроны с низкими энергиями задерживаются материалом тонкой крышки, а электроны с энергиями 5 -10 мэВ облучают весь объем полупроводникового материала равномерно и эффектов деградации окисла не наблюдается. Алюминий выбран по причине его малого распыления электронами. Электроны с энергией 5 мэВ проникают в алюминий и кремний до глубины 9 мм, а электроны с энергией меньшей, чем 0,2-0,4 мэВ задерживаются материалом тонкой крышки и не попадают на рабочую поверхность кристаллов и не приводят к сильной деградации рабочей поверхности кристаллов. Ребра жесткости гарантируют сохранность кристаллов при транспортировке и не влияют на процесс облучения.
Разработка защищена патентом РФ № 237014.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Детали
Отрасль ТЭК
Электроэнергетика
Критически значимая технология
5-й технологический уклад
Инновационность
Отсутствует
Эффект от внедрения
Годовой экономический эффект - 1 000,0 тыс. рублей. Уменьшение технологических потерь до 10 %.
Филиал РЭА
Брянский ЦНТИ-филиал ФГБУ "РЭА" Минэнерго России
Владелец
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Похожие документы
КАССЕТА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ
0.894
Промышленная инновация
КАССЕТА ДЛЯ ОДНОСТОРОННЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
0.890
Промышленная инновация
Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния
0.887
Промышленная инновация
КАССЕТА ДЛЯ ПОСТИМПЛАНТАЦИОННОГО ОТЖИГА СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ
0.879
Промышленная инновация
КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
0.872
Промышленная инновация
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
0.865
Промышленная инновация
Способ обработки обратной стороны кремниевой транзисторной структуры
0.860
Промышленная инновация
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
0.860
Промышленная инновация
Конденсационный зонд с поперечным магнитным полем экранированный тепловым ударом
0.860
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.859
Промышленная инновация