Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением.Технология способа состоит в следующем: по стандартной технологии на кремниевой пластине с ориентацией (100) формируют области полупроводникового прибора. В последующем формируют контакты на основе силицида платины. Для этого наносят пленку Pt толщиной 35-45 нм электронно-лучевым испарением на кремниевую подложку, нагретые предварительно до 350ºС, со скоростью осаждения 5нм/мин. Затем проводят отжиг в три этапа: 1этап - при температуре 200ºС в течение 15мин, 2 этап- при температуре 300ºС в течение 10 мин и 3 этап при температуре 550ºС в течение 15 мин в форминг-газе, при смеси газов N2:H2=9:1. При этом весь слой Pt взаимодействует с кремнием. В структурах, отожженных последовательно при трех температурах, в форминг-газе, реакция между Pt и Si протекает полностью, формируется слой PtSi.