РИД
№ АААА-Г17-617020750007-9Экспериментальный образец СВЧ фазовращателя на широкозонных полупроводниках
07.02.2017
Микросхема предназначена для проведения исследований и разработки комплекса научно-технических и технологических решений, направленных на создание новой СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ) на основе соединений нитрида галлия для изготовления монолитных интегральных схем (МИС) фазовращателей с высокими удельными характеристиками по мощности и низким уровнем шума для современных радиоэлектроных систем связи и радиолокации в диапазоне частот 30–60 ГГц.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
ТРАНЗИСТОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКИ
СВЧ
ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ
РАДИОЛОКАЦИЯ
Детали
НИОКТР
№ 114120370007
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Экспериментальные образцы СВЧ транзисторов на широкозонных полупроводниках
0.980
РИД
Экспериментальный образец СВЧ малошумящего усилителя на широкозонных полупроводниках
0.978
РИД
Экспериментальный образец СВЧ усилителя мощности на широкозонных полупроводниках
0.977
РИД
Экспериментальный образец СВЧ смесителя на широкозонных полупроводниках
0.977
РИД
Экспериментальный образец СВЧ ключа на широкозонных полупроводниках
0.974
РИД
Разработка СВЧ гетероструктурного сверхмалошумящего транзистора диапазона 0,5 - 18 ГГц
0.926
НИОКТР
Топология интегральной микросхемы: СВЧ малошумящий усилитель
0.921
РИД
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.921
ИКРБС
Топология интегральной микросхемы: СВЧ предварительный усилитель мощности
0.919
РИД
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов СВЧ-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.918
НИОКТР