Топология интегральной микросхемы: СВЧ малошумящий усилитель

23.03.2018

Интегральная микросхема (ИМС) предназначена для применения в перспективных образцах ВВСТ наземного базирования. Для изготовления применяют GaAs DpHEMT гетероструктуры. Затворы транзисторов длиной 0,25 мкм формируются при помощи техники электроннолучевой литографии. Остальные элементы ИМС формирются при помощи техники фотолитографии. Для устранения внешнего влияния постоянного тока по СВЧ входу/выходу применены разделительные конденсаторы. СВЧ вход/выход согласован на 50-ти омный тракт. Размер кристалла - 3,8х1,7х0,1 мм3.

ГРНТИ

47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.14.09 Проектирование и конструирование приборов и устройств квантовой электроники

Ключевые слова

СВЧ МАЛОШУМЯЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ

ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А15-115112650054-3

Тип РИД

Топология интегральных микросхем