РИД
№ АААА-Г17-617042510029-7Технология изготовления эпитаксиальной гетероструктуры для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия
25.04.2017
ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с выходной оптической мощностью более 0,1 Вт с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия. Приведено теоретическое обоснование выбранной конструкции гетероструктуры и технологии ее изготовления, проведены исследования свойств полученных образцов гетероструктуры.Проведена оценка технического уровня разработанных гетероструктур.Проведение ОКР было обосновано необходимостью развития приборной базы полупроводниковой оптоэлектроники для работы в зеленом спектральном диапазоне излучения с рабочей длиной волны 500 - 550 нм.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.17 Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
Ключевые слова
ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ
ЛАЗЕРНЫЙ КОНВЕРТЕР
Детали
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Ожидается
Заказчик
Исполнители
Публичное акционерное общество "Светлана"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Конструкция эпитаксиальной гетероструктуры для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия
0.997
РИД
Технология изготовления лазерной туннельно-связанной гетероструктуры для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.926
РИД
Конструкция лазерной туннельно-связанной гетероструктуры для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.925
РИД
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.924
НИОКТР
Эпитаксия низкоразмерных гетероструктур соединений А2В6 и создание полупроводниковых дисковых лазеров на их основе
0.924
Диссертация
Комплекс опытно-конструкторских работ по российской части научно-технической программы Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе». Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия
0.923
ИКРБС
Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой
0.922
НИОКТР
Эпитаксиальное выращивание гетероструктур нового типа на основе соединений А2В6 и создание на их основе полупроводникового дискового лазера, излучающего на основной частоте в сине-зеленом диапазоне спектра
0.921
НИОКТР
Технология изготовления мощного полупроводникового импульсного лазера на базе туннельно-связанных гетероструктур
0.921
РИД
Разработка эпитаксиальной технологии роста и технологии постростовой обработки многослойных гетероструктур для мощных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
0.921
НИОКТР