Технология изготовления мощного полупроводникового импульсного лазера для атмосферных лидаров, дальномеров, систем специального назначения

ОКР посвящена разработке конструкции и технологии изготовления лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и туннельно-связанных лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений и мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на их основе.Целью работы являлось создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий оптоэлектроники нового поколения специального и двойного применения, в том числе импортозамещающих изделий.Разработана технология мощного полупроводникового импульсного лазера, включая технологию формирования мезаполосковой конструкции, обеспечивающей токовое и оптическое ограничение, технологию диффузии цинка, обеспечивающую токовое ограничение.