Программа для расчета и построения зависимостей концентраций носителей заряда в алмазе от параметров легирования и температуры (EH-DT)

19.10.2018

Программа предназначена для расчета и построения зависимостей концентраций электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне алмаза от параметров легирования и температуры в удобной для пользователя форме

ГРНТИ

47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

47.03.05 Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники

47.03.11 Оптические явления в волноводах и тонких пленках

Ключевые слова

АНАЛИЗ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А17-117042450114-4

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Микроэлектроника, полупроводниковые приборы

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковом компенсированном алмазе

0.905

РИД

Компьютерная программа для расчёта и построения зонной диаграммы полупроводникового диода на основе немонокристаллического материала с линейным распределением легирующих примесей

0.865

РИД

Программа для ЭВМ "Расчет распределения потенциалов и токов в гетероструктурах в геометрии Ван-дер-Пау"

0.849

РИД