РИД
№ 625121000054-6

Расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковом компенсированном алмазе

10.12.2025

Программа для ЭВМ предназначена для численного расчета температурной зависимости концентрации носителей заряда в компенсированном полупроводнике. Графический пользовательский интерфейс позволяет пользователю легко задавать параметры расчета (температурный диапазон, концентрации примесей, энергии активации, уширение акцепторного уровня) и получать результаты в виде наглядных графиков. Разработанная программа предоставляет пользователям удобный инструмент для анализа электронных свойств полупроводникового компенсированного алмаза в широком интервале температур, что актуально для оптимизации технологических процессов его легирования и проектирования перспективных электронных приборов на монокристаллическом алмазе.
ГРНТИ
29.19.24 Электронная структура твердых тел
29.19.23 Теория электрических свойств твердых тел
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
концентрация
энергия активация
фотопроводимость
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
для численного расчета температурной зависимости концентрации носителей заряда в компенсированном полупроводнике
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "ЛЭТИ" ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Программа для расчета и построения зависимостей концентраций носителей заряда в алмазе от параметров легирования и температуры (EH-DT)
0.905
РИД
Компьютерная программа для расчёта и построения зонной диаграммы полупроводникового диода на основе немонокристаллического материала с линейным распределением легирующих примесей
0.891
РИД
Программа для расчёта термоэлектрических эффектов в наноконтактах
0.876
РИД
Аппроксимация краевого оптического поглощения алмаза
0.873
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.873
РИД
Программа для вычисления частотных и температурных зависимостей коэффициента поглощения света на внутризонных переходах с участием продольных оптических фононов
0.871
РИД
Программа для определения кристаллографической ориентировки монокристаллов алмаза по данным поляризованной спектроскопии комбинационного рассеяния света
0.870
РИД
Программа для прогнозирования химического состава конденсационного покрытия на внутренней поверхности полых изделий при термическом испарении бинарных сплавов в вакууме с соосно расположенного стержневого испарителя
0.870
РИД
Характеризация монокристаллических алмазных пластин
0.869
РИД
Аппроксимизация спектров краевой люминесценции алмаза
0.869
РИД