РИД
№ АААА-Г18-618103090010-3

Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnOx

30.10.2018

Технической задачей является повышение чувствительности газочувствительного элемента к NO2 при комнатной температуреПредлагаемый способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnOx включает двухэтапное анодное травление пластины кремния, окисление полученной двухслойной структуры путем высокотемпературного отжига в парах кислорода, с последующим нанесением пленки SnOx методом осаждения из парогазовой фазы и отличается тем, что перед стадией высокотемпературного отжига двухслойную структуру окисляют в электролите состава HCl : H2O 1 : 7 при плотности тока 20 мА/см2 в течение 5 минут, а полученную многослойную структуру с осажденной пленкой SnOx подвергают термическому отжигу при температуре 350 - 450 оС в течение 60 минут
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
НАНОМАТЕРИАЛЫ
МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Детали

Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Похожие документы
Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтатического эффекта в оксиде цинка.
0.924
Промышленная инновация
Способ создания сенсора газов и паров на основе чувствительных слоев из металлсодержащих кремний-углеродных пленок
0.921
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.921
Промышленная инновация
Способ прецизионного легирования тонких плёнок на поверхности InP
0.919
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.917
РИД
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.913
РИД
Способ изготовления газоаналитического мультисенсорного чипа на основе наностержней оксида цинка
0.912
Промышленная инновация
Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
0.911
РИД
Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры
0.908
РИД
Способ изготовления сенсора газов со слоем газочувствительного наноматериала, модифицированного облучением
0.907
РИД