Буферный усилитель класса АВ на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

17.06.2020

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя (БУ) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, обеспечивающего возможность схемотехнической регулировки систематической составляющей напряжения смещения нуля БУ и сквозного тока выходных полевых транзисторов в условиях разброса их стоко-затворных характеристик.

ГРНТИ

47.01.01 Руководящие материалы

Ключевые слова

БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА АВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Детали

НИОКТР

№ АААА-А16-116062810022-9

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

IP-модули электронных устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и теле-коммуникаций, в т.ч. работающие в условиях воздействия радиации и низких температур; предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством малошумящей аналоговой электронной компонентной базы для тяжелых условий эксплуатации.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"

Заказчик

Российский научный фонд

Похожие документы

Двухтактный выходной каскад класса AB аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах

0.959

РИД

Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах

0.956