Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения арсенида галлия

Полезная модель относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и монолитно-интегральных схем на основе полупроводникового соединения арсенида галлия, в частности, к созданию омических и барьерных контактов для гетероструктурных полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. В транзисторе омический контакт выполнен на основе четырехслойной металлизации Pd/Ge/Al/Pd. Слой Pd толщиной 5–100 нм расположен на поверхности полупроводниковой пластины, на его поверхности расположен слой Ge толщиной 50–1000 нм, на его поверхности расположен слой Al толщиной 50–1000, на поверхности которого расположен слой Pd толщиной 5-100 нм. Т-образный затвор выполнен на основе трехслойной композиции, в которой последовательно расположены барьерообразующий слоя Ti толщиной 10–200 нм, расположенный на поверхности полупроводниковой пластины, проводящий слоя на основе Al толщиной 10–1000 нм, защитный слой на основе Pd толщиной 10 – 200 нм.