Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры c 2D электронным газом

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/, c топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. Увеличение напряжения пробоя полевого транзистора достигается за счет увеличения межэлектродного расстояния, а уменьшение слоевого сопротивления исходной пластины достигается за счет применения HEMT гетероструктуры с ультратонким (не более 7 нм) барьерным слоем AlN.