Синтез нелегированных плёнок монокристаллического алмаза методом CVD без травления подложек

На начальном этапе CVD процесса алмазная подложка подвергается воздействию плазмы чистого водорода, вызывающей её травление. Это травление неоднородно, что приводит к образованию так называемых ямок травления. В задаче гомоэпитаксии нелегированного алмаза на легированной подложке травление алмазной подложки в водородной плазме приводит к двум нежелательным последствиям: - Из-за ямок травления граница раздела легированной подложки и эпитаксиальной плёнки становится неровной, что приводит к неоднородности электрического поля в ней. - Травление легированной алмазной подложки приводит к загрязнению газовой смеси и, в дальнейшем, растущего эпитаксиального материала, легирующей примесью. Для устранения этих недостатков предлагается использовать два приёма: 1. Перед установкой в реактор легированная алмазная подложка должна быть пройти предварительную подготовку, которая заключается в стравливании с полированной поверхности подложки адсорбированных примесей и повреждённого полировкой алмазного слоя методом сухого ионно-реактивного травления. Этот процесс осуществляется в специальном реакторе обычно в плазме аргона и/или кислорода и позволяет избавиться от стадии очистки подложке в плазме чистого водорода. 2. Выбор режима на начальном этапе CVD процесса, в частности состава газовой смеси, таким образом, чтобы избежать травления подложки с одной стороны и осаждения сажи с другой.