РИД
№ 622070400087-4

Способ формирования периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов

04.07.2022

В предлагаемом способе формирование на поверхности аморфной халькогенидной пленки областей, заполненных периодическими аморфными и кристаллическими полосами одинаковой ширины, происходит вследствие локальной кристаллизации материала пленки в результате однократного прохождения лазерного пучка вдоль ее поверхности. Период записываемой структуры определяется длиной волны лазерного излучения, ориентация задается направлением поляризации светового поля, размеры и однородность зависят от диаметра пучка, плотности потока энергии и скорости сканирования. Изобретение обеспечивает доабляционное формирование двухфазных периодических структур на основе аморфных и закристаллизованных полос, существенно различающихся своим оптическим контрастом.
ГРНТИ
47.35.35 Приборы управления оптическим излучением
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.33.47 Воздействие лазерного излучения на вещество
Ключевые слова
модуляция света
фазопеременные материалы
лазерное облучение
Детали

Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к области оптоэлектроники и оптическим лазерным технологиям формирования топологических микроразмерных структур на подложках, а именно к способам направленного микроструктурирования поверхности фазопеременных халькогенидных материалов в поле движущегося пучка ультракоротких лазерных импульсов, а также перспективны для систем формирования и отображения информации , перезаписываемых компьютерных голограмм и дифракционных оптических приложений.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Способ переключения периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов и оптическое устройство на его основе
0.944
РИД
Оптическое устройство для переключения периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов
0.924
РИД
Способ изготовления фазовых дифракционных решеток, микроструктур и контактных масок
0.912
РИД
Способ изготовления фазовых дифракционных микроструктур
0.908
РИД
Бинарные фазовые решетки на поверхности аморфных халькогенидных полупроводников, формируемые ультракороткими лазерными импульсами
0.903
НИОКТР
Способ изготовления амплитудных дифракционных микроструктур и контактных масок
0.900
РИД
Разработка технологии создания поляризационно-чувствительных элементов оптики, фотовольтаики и памяти на фазовых переходах с помощью прямой фемтосекундной лазерной записи на поверхностях аморфного кремния и халькогенидных стеклообразных полупроводников
0.899
НИОКТР
Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводниов с эффектом фазовой памяти
0.897
РИД
Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника.
0.895
РИД
Способ формирования тонкопленочных микро- и наноструктур
0.895
РИД