Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'

13.01.2023

Пользователем задаются: толщины слоев, значения поляризационных зарядов на гетерограницах, степень легирования, значения эффективной массы и диэлектрической проницаемости квантовой ямы, значения разрыва зоны проводимости для барьерных слоев, температура. Далее программа решает стационарную систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями для заданной гетероструктуры. Полученная вольт-амперная характеристика записывается в выходной текстовый файл. Программа распараллелена с помощью технологии OpenMP. Тип ЭВМ: IBM PC. ОС: Windows ХР и выше, Linux.

ГРНТИ

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

Ключевые слова

Статические характеристики

Резонансное туннелирование

GaN

Уравнение Шредингера

Уравнение Пуассона

Детали

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик GaN резонансно-туннельных диодов (РТД) с учетом межэлектронного взаимодействия, поляризационных зарядов на гетерограницах. Область применения программы: оптимизация статических характеристик GaN РТД.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Программа для ЭВМ 'Программа для расчета переходных процессов в резонансно-туннельных наноструктурах'

0.931

РИД

ПРОГРАММА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР

0.913