РИД
№ 623101800059-7Программа оценки физических частотных пределов работы Me/n-n+-GaAs диода Шоттки с тонкой базой
18.10.2023
Программа предназначена для проведения квантовомеханического расчёта параметров баллистического переноса электронов через БШ с целью оценки физических ограничений на частотный предел работы КМП. Входными данными являются набор граничных условий с учетом внешнего электрического поля, а также значения фундаментальных параметров материалов. Результатом выполнения программы являются массивы табличных значений волновых функций, вольт-амперных и временных характеристик. Может быть применена в изыскательских и научно-исследовательских целях.
ГРНТИ
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
47.14.09 Проектирование и конструирование приборов и устройств квантовой электроники
Ключевые слова
кусочно-непрерывные потенциальные барьеры
эффективная масса
метод матрицы переноса
параметры прохождения
временные характеристики
барьер Шоттки
система уравнений Шрёдингера
Пуассона
непрерывности
статические ВАХ
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа может использоваться в научно-исследовательских и промышленных организациях для решения задач в области баллистического транспорта электрических зарядов в твердотельных системах, туннельных эффектов, быстропротекающих процессов, а также для проектирования современных твердотельных СВЧ-, КВЧ- и ТГц-приборов основанных на баллистическом переносе электрически заряженных частиц в том числе и таких, конструкции которых содержат контакты металл-полупроводник с барьером Шоттки. Использование Программы позволяет существенно повысить точность проектирования, что обеспечивает с меньшими затратами достижение требуемых тактико-технических характеристик разрабатываемых твердотельных приборов и устройств на их основе.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Похожие документы
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.906
РИД
Программа численного моделирования эффективности сбора наведенного тока в полупроводниковых структурах
0.887
РИД
Программный модуль для одномерного моделирования транзисторных гетероструктур на основе материалов группы А3В5
0.885
РИД
ПРОГРАММНОЕ СРЕДСТВО РАСЧЕТА ТОЛЩИНЫ И СОСТАВА КВАНТОВОЙ ЯМЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/GaAs ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 976 НМ
0.884
РИД
Программа моделирования вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки
0.883
РИД
Программа для определения произведения подвижности и времени жизни носителей заряда в сенсорах HR-GaAs:Cr
0.879
РИД
Программа для расчета плотности тока холодной полевой эмиссии одноямной двухбарьерной и двухъямной трехбарьерной резонансно-туннельных структур методом матриц переноса
0.869
РИД
ПРОГРАММА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР
0.868
РИД
Программа для расчета спектра пропускания носителей заряда через полупроводниковые сверхрешетки
0.866
РИД
Разработка конструктивно-технологических решений и компактных моделей Me/n- n+- GaAs безкорпусных диодов Шоттки для работы в сверхтерагерцовом частотном диапазоне выполненных на полуизолирующей подложке i-GaAs{100}
0.862
НИОКТР