РИД
№ 623032400083-3

Патент 2789118 "Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода"

24.03.2023

Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода, согласно которому через светодиод пропускают электрический ток и при заданном значении постоянного тока из диапазона токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, измеряют мощность оптического излучения светодиода. При этом мощность оптического излучения светодиода измеряют при нескольких произвольно выбранных значениях электрического тока, находящихся в диапазоне токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода. Полученную экспериментальную ватт-амперную характеристику аппроксимируют методом наименьших квадратов. По результатам аппроксимации определяют параметры необходимые параметры аппроксимирующей функции. Затем рассчитывается значение внутреннего квантового выхода светодиода при произвольном значении тока в заданном диапазоне. Способ направлен на уменьшение аппаратных затрат, трудоемкости и времени измерения, а также обеспечивает расширение функциональных возможностей способа.
ГРНТИ
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
Ключевые слова
квантовый выход
светодиод
мощность оптического излучения светодиода
способ измерения
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Контроль параметров светодиодов при их производстве.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода
0.939
Промышленная инновация
Способ измерения порогового тока светодиода
0.927
Промышленная инновация
Заявка на патент РФ № 2016111836. Способ измерения теплового импеданса светодиодов
0.917
РИД
Заявка на патент РФ № 2016111836. Способ измерения теплового импеданса светодиодов
0.916
РИД
Заявка на патент РФ № 2015121280. Способ измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода
0.910
РИД
СПОСОБ ТЕСТИРОВАНИЯ СВЕТОДИОДА
0.910
РИД
Патент "Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера"
0.893
РИД
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПО ПОВЕРХНОСТИ СВЕТОДИОДА
0.887
РИД
Способ контроля качества гетероструктуры GaN-светодиодов с помощью анализа планарного распределения туннельно-рекомбинационного свечения
0.879
РИД
Способ измерения характеристик светодиодных источников света при сопряженном воздействии температуры и влажности и устройство для его осуществления
0.879
РИД