РИД
№ 623051200008-9

Программа для моделирования процесса кинетики роста преципитатов в ограниченных твердых растворах

12.05.2023

Программа предназначена для моделирования процесса кластерообразования и преципитации ограниченно растворимого компонента в полупроводниковых поликристаллических пленках сульфида кадмия, в которые растворяемый компонент попадает в процессе сенсибилизирующего отжига из органической пленки соли растворяемого компонента, полученной по технологии Ленгмюра−Блоджетт. С ее помощью можно изучать кинетику гетерогенного роста преципитатов в таких гетерофазных системах, в основе которого лежит диффузионный механизм преципитации ограниченно растворимых компонентов гетерофазной системы. Программа позволяет определять среднее число частиц в преципитате на любой глубине залегания и радиус преципитатов.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
среднее число частиц в преципитате
радиус преципитата
коэффициент диффузии
гетерофазные пленки
кинетический рост преципитатов
кластерообразование
Детали

Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Электронная промышленность
Ожидается
Исполнитель
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Программа для расчета формирования металлических наночастиц в ионообменном стекле
0.883
РИД
Программа моделирования растворения и роста атомных кластеров в неупорядоченных гетерогенных материалах
0.881
РИД
Программа для моделирования профиля диффузии Zn в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP с учетом сегрегации
0.876
РИД
Программа вычисления временных зависимостей параметров кристаллизующейся тонкой пленки
0.874
РИД
Программа для расчета функции распределения металлических наночастиц, формирующихся на поверхности ионообменного стекла в процессе отжига в восстанавливающей атмосфере»
0.873
РИД
Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии
0.869
РИД
Программа для прогнозирования химического состава конденсационного покрытия на внутренней поверхности полых изделий при термическом испарении бинарных сплавов в вакууме с соосно расположенного стержневого испарителя
0.867
РИД
Программа для моделирования роста наноструктур индия методом капельной эпитаксии на подложке GaAs с углублениями полусферической формы
0.866
РИД
Программа моделирования кристаллизации тонких пленок в условиях линейного нагрева
0.866
РИД
Герметико-вероятностное моделирование формирования структуры пленок
0.865
РИД