РИД
№ 623052300055-9

Монолитная интегральная схема СВЧ квадратурного пассивного двойного балансного смесителя MDBIQ2440

23.05.2023

ИМС представляет собой GaAs монолитную интегральную схему квадратурного пассивного двойного балансного смесителя, изготовленную по технологии PIH1-10 фирмы WIN Semiconductors. Общее количество топологических слоев 14. ИМС содержит синфазный делитель, квадратурный мост Ланге, 8 диодов с барьером Шоттки, 4 спиральных моста Маршанда, 2 из которых содержат цепь вывода промежуточной частоты сигнала. ИМС предназначена для использования в СВЧ тракте приемопередающих модулей. Технические характеристики: рабочий диапазон частот для портов гетеродина и РЧ сигнала 24 - 40 ГГц; рабочий диапазон частот для порта ПЧ 0 - 5 ГГц; потери преобразования не более 11,5 дБ; развязка между портами гетеродин-РЧ не менее 28 дБ; баланс амплитуд ±1 дБ, баланс фаз ±5 градусов. Мощность гетеродина 15 дБм. Диапазон рабочих температур от минус 60 до 85°С. Шаг мультипликации 1232×1142 мкм, размеры кристалла 1170×1080 мкм.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
квадратурный смеситель
МИС СВЧ
квазивертикальный диод с барьером Шоттки
Детали

Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
приемопередающие тракты радиоэлектронной аппаратуры
Ожидается
Исполнитель
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двойного балансного смесителя диапазона частот 1,5-4,5 ГГц
0.934
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двойного балансного субгармонического смесителя К-диапазона со встроенным усилителем гетеродина и полифазным фильтром
0.926
РИД
Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя с интегрированным усилителем сигнала гетеродина на основе 180 нм КМОП технологии
0.921
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двухкаскадного малошумящего усилителя диапазона 18-25 ГГц
0.919
РИД
Двойной балансный смеситель X диапазона по GaAs-технологии
0.914
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального широкополосного буферного усилителя диапазона частот 1,5-5 ГГц
0.914
РИД
Сверхвысокочастотная монолитная интегральная схема малошумящего усилителя с байпас-каналом
0.913
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS субгармонического смесителя диапазона частот 18-25 ГГц
0.912
РИД
Интегральная схема фазового СВЧ модулятора на 11,25 градусов
0.910
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS векторного фазовращателя Х-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП
0.908
РИД